类型：功率MOSFET模块
　　最大漏极电流：25A
　　最大漏源电压：1200V
　　导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（最大）
　　封装类型：DIP
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　绝缘耐压：2500Vrms
　　功耗：150W
　　输入电容：4700pF
　　栅极电荷：90nC
　　短路耐受能力：5μs

XHPM7A25S120DC3 的核心优势在于其高功率密度和优异的热性能，这得益于其先进的封装技术和低导通电阻。该模块采用了多芯片并联结构，以提高电流承载能力和可靠性。模块内部的 MOSFET 器件具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了整体系统效率。此外，XHPM7A25S120DC3 具有良好的短路耐受能力，能够在极端工况下保持稳定运行，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。其 DIP 封装设计便于安装和维护，同时支持快速散热，延长器件寿命。
　　该模块还具备优异的抗电磁干扰（EMI）性能，通过优化的内部结构设计，减少了高频开关时的噪声干扰。此外，XHPM7A25S120DC3 在制造过程中采用了符合 RoHS 标准的材料，确保其环保性能。由于其高性能特性和广泛的应用适应性，XHPM7A25S120DC3 成为了许多高功率电子系统设计中的首选功率开关元件。

XHPM7A25S120DC3 主要应用于工业电源、电机驱动器、变频器、不间断电源（UPS）、电焊机和电动汽车充电系统等领域。该模块适用于需要高功率密度、高效率和高可靠性的电力电子系统。在电机控制应用中，XHPM7A25S120DC3 可用于三相逆变器电路，实现高效的电机驱动控制。在电源转换器中，该模块可用于DC-AC逆变或AC-DC整流拓扑结构，提高系统效率并降低散热需求。此外，该模块也可用于工业自动化设备、智能电网系统和高功率LED照明驱动系统等场景。

IXFN24N120P
　　STY72N65M5AGP
　　FCA24N120NTM