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FGY75N60SMMD 发布时间 时间:2025/7/22 11:17:08 查看 阅读:5

FGY75N60SMMD是一款高功率、高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高电压、高电流应用,如电源转换器、电机驱动器、逆变器和开关电源系统。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点,适用于高效能电子系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):75A
  最大功率耗散(Pd):200W
  导通电阻(Rds(on)):约0.12Ω(典型值)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-247
  晶体管配置:单晶体管

特性

FGY75N60SMMD具备多个显著的技术特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统整体效率。这对于需要高能效的电源系统尤为重要。
  其次,该MOSFET具有高耐压能力,最大漏源电压可达600V,适用于高压电源转换和电机控制应用。其高栅源电压容限(±20V)增强了在高压栅极驱动电路中的稳定性,减少了因栅极过压导致的失效风险。
  此外,FGY75N60SMMD的最大连续漏极电流为75A,能够在高电流负载下稳定运行,适用于大功率电机驱动和逆变器应用。其最大功率耗散为200W,确保在高功耗条件下仍能保持良好的热稳定性。
  该器件采用TO-247封装,具有良好的散热性能,能够有效降低工作温度,提高器件的可靠性和寿命。TO-247封装也便于在PCB(印刷电路板)上安装和散热管理,适合工业级应用环境。
  FGY75N60SMMD还具备快速开关特性,降低了开关损耗,提高了系统的动态响应能力。这使得它在高频开关应用中表现优异,例如DC-DC转换器、UPS(不间断电源)和太阳能逆变器等。

应用

FGY75N60SMMD广泛应用于多种高功率电子系统中。其主要应用领域包括开关电源(SMPS),用于高效能的电压转换和能量管理。在电机驱动器中,该MOSFET可提供高电流输出,实现精确的速度和扭矩控制,适用于工业自动化设备和电动工具。
  此外,该器件适用于逆变器系统,如UPS(不间断电源)和太阳能逆变器,能够将直流电源转换为交流电源,满足不同负载需求。在电动汽车(EV)充电设备中,FGY75N60SMMD的高耐压和高电流能力使其成为理想的功率开关元件。
  它还常用于功率因数校正(PFC)电路中,帮助提高电源系统的功率因数,减少无功功率损耗,从而提高整体能效。在工业控制系统中,该MOSFET可用于高频开关电路、电源管理模块和负载开关控制。
  此外,FGY75N60SMMD也可用于音频放大器、激光驱动器和其他高功率脉冲应用,提供稳定可靠的功率输出。

替代型号

FGY75N60SMD, FGU75N60SMD, IRFP4668, FCP75N60SMD