HMC757 时间：2025/6/24 1:46:00 阅读：3

HMC757是一款由Analog Devices公司（前身为Hittite Microwave Corporation）推出的高性能GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器（LNA）。该芯片设计用于在高频射频应用中提供卓越的增益和噪声性能，工作频率范围为1至20 GHz。其宽广的工作带宽和出色的线性度使其成为雷达、卫星通信、测试设备和其他无线系统中的理想选择。
　　HMC757采用紧凑型SMT封装形式，便于表面贴装和集成到更复杂的射频电路中。由于其高增益和低噪声系数特性，它非常适合用作接收机前端组件。

参数

类型：低噪声放大器
　　工艺：GaAs pHEMT
　　封装：4x4 mm QFN
　　频率范围：1 GHz 至 20 GHz
　　增益：15 dB 典型值
　　噪声系数：1.8 dB 典型值
　　输入回波损耗：15 dB 典型值
　　输出回波损耗：13 dB 典型值
　　P1dB压缩点：+20 dBm 典型值
　　电源电压：+5 V
　　静态电流：120 mA

特性

HMC757的主要特点是其极低的噪声系数和高线性度。在宽频带范围内（1-20 GHz），它可以保持稳定的增益和噪声性能，从而减少了对额外滤波或补偿的需求。此外，该芯片内置有源偏置电路，能够确保跨温度和工艺变化时的稳定运行。
　　另一个关键特性是其简单的设计匹配要求。HMC757仅需少量外部元件即可实现最佳性能，这极大地简化了PCB布局并降低了整体解决方案的成本。
　　芯片还具有关断功能，在不需要使用放大器时可以将功耗降至最低，这在电池供电的应用场景下尤为重要。

应用

HMC757广泛应用于多种射频和微波系统中，包括但不限于：
　　1. 点对点和点对多点无线电通信
　　2. 卫星地面站设备
　　3. 军用雷达系统
　　4. 测试与测量仪器
　　5. 宽带通信基础设施
　　6. 微波链路和VSAT终端
　　由于其支持广泛的频率范围和优异的电气特性，这款放大器几乎适用于所有需要高性能射频信号放大的场合。