时间：2025/9/1 13:54:42
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IS61QDP2B22M36A-333M3L 是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）制造的高速、低功耗、双端口同步SRAM（静态随机存取存储器）芯片。该芯片采用QDR（Quad Data Rate）架构，支持独立的读写端口，适用于需要高带宽和低延迟的通信、网络和工业应用。该器件的容量为256Mbit（22M x 36位），采用BGA封装，工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），适合在各种严苛环境下运行。
容量：256Mbit（22M x 36位）
架构：QDR II+（Quad Data Rate）
电源电压：1.4V - 1.6V
访问时间：333MHz
封装类型：BGA
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据宽度：36位
接口类型：DDR（双数据速率）
读写操作：独立端口
封装尺寸：165-ball BGA
功耗：低功耗设计
时钟频率：333MHz
访问周期时间：2.5ns
IS61QDP2B22M36A-333M3L 是一款高性能的QDR SRAM芯片，其独特的Quad Data Rate架构允许在单个时钟周期内完成四个数据操作，从而显著提高数据吞吐量。该芯片采用独立的读写端口设计，使得读操作和写操作可以并行进行，避免了传统SRAM中常见的访问冲突问题，提高了系统的并发处理能力。
此外，该器件支持高速访问时间（2.5ns），工作频率高达333MHz，适用于要求高带宽和低延迟的高性能系统。芯片采用1.4V至1.6V的低电压电源供电，符合现代电子设备对低功耗和高能效的要求，适用于电池供电或绿色能源设计的应用场景。
IS61QDP2B22M36A-333M3L 采用165球BGA封装，体积小，便于集成在紧凑型电路板上。其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于户外设备、工业控制、网络交换设备等复杂环境下的稳定运行。
该芯片还具备高可靠性设计，采用先进的CMOS工艺制造，具有良好的抗干扰能力和稳定性，适用于通信基础设施、测试设备、雷达系统等关键领域。此外，该器件的引脚兼容性设计也便于与其他QDR SRAM器件进行替换或升级。
IS61QDP2B22M36A-333M3L 主要应用于需要高速缓存和高带宽的高性能系统中，如网络交换机、路由器、通信基站、无线接入设备、工业控制系统、测试测量仪器、雷达系统、视频处理设备等。该芯片的双端口独立访问能力使其特别适合用于需要同时进行高速读写操作的场景，如数据缓冲、高速缓存存储、协议转换、包处理等。由于其低功耗和高可靠性，也广泛应用于嵌入式系统、工业自动化设备和汽车电子系统中。
IS61QDP2B22M36A-333M4I、IS61QDP2B22M36A-366M3L、IS61QDP2B22M36A-400M3L
