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GCQ1555C1HR70DB01D 发布时间 时间:2025/6/5 9:21:37 查看 阅读:8

GCQ1555C1HR70DB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,能够在高频应用场合提供高效的性能表现。
  该芯片适用于高电压、大电流的工作环境,同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适合工业级及消费级电子产品的设计需求。

参数

型号:GCQ1555C1HR70DB01D
  类型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
  最大漏源电压(Vds):70V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ (典型值,Vgs=10V)
  功耗(Ptot):150W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GCQ1555C1HR70DB01D 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于降低功率损耗并提高整体效率。
  2. 快速的开关速度和较小的栅极电荷 Qg,确保在高频条件下保持高效性能。
  3. 较高的雪崩能量承受能力,增强了器件的耐用性。
  4. 内置过温保护功能,提升系统可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
  6. 优异的热性能,能够适应高功率密度的应用场景。

应用

该芯片可广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
  3. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS) 系统。
  4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
  5. 高效 LED 驱动器的设计与实现。
  6. 汽车电子中的直流电机控制和电池管理系统(BMS)。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF7
  FDP18N70

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GCQ1555C1HR70DB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.18949卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.7 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-