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NCE60P45K 发布时间 时间:2025/4/30 18:54:29 查看 阅读:27

NCE60P45K是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种功率转换和开关应用。它属于N沟道增强型MOSFET,主要应用于高效率、高频率的电力电子领域。其出色的性能使其成为众多工业及消费类电子产品中的关键元件。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:45A
  栅极电荷:180nC
  导通电阻:0.12Ω
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

NCE60P45K具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力,可承受高达600V的漏源电压,适合高压环境下的应用。
  2. 大电流处理能力,支持最高45A的连续漏极电流输出,保证在高负载条件下的稳定运行。
  3. 低导通电阻设计,仅为0.12Ω,在大电流场景下能够有效降低功耗并减少发热问题。
  4. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷(180nC),可以满足高频应用的需求。
  5. 广泛的工作温度范围(-55℃至+175℃),确保在极端环境下也能正常工作。
  6. TO-247封装形式,具备良好的散热性能和机械强度。

应用

该器件广泛应用于各类高压功率转换系统中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):
   - 工业级或商业级AC-DC转换器。
   - 高效DC-DC转换模块。
  2. 电机驱动:
   - 家用电器中的变频驱动电路。
   - 工业自动化设备中的伺服电机控制。
  3. 能量存储系统:
   - 光伏逆变器。
   - 电池管理系统中的充放电控制。
  4. 照明系统:
   - LED路灯驱动电路。
   - 高亮度照明设备中的调光控制。
  此外,NCE60P45K还被用于其他需要高效功率转换和开关控制的场景,如不间断电源(UPS)、电动汽车充电设备等。

替代型号

NCE60P45K-H,
  NCE60P45K-E,
  IRFP450,
  STP45NK06Z

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