PSMN2R1-40PL 时间：2025/5/30 14:19:05 阅读：22

PSMN2R1-40PL 是一款 N 沟道功率 MOSFET，由 NXP Semiconductors 生产。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关应用和负载驱动场景。其封装形式为 LFPAK56（Power-SO8），适合表面贴装工艺。
　　PSMN2R1-40PL 的额定电压为 40V，能够承受较高的瞬态电压，并且具备优秀的热性能和电气性能。

参数

型号：PSMN2R1-40PL
　　类型：N 沟道功率 MOSFET
　　封装：LFPAK56 (Power-SO8)
　　最大漏源电压 Vds：40V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：23A
　　导通电阻 Rds(on)：2.1mΩ @ Vgs=10V
　　总功耗 Ptot：12W
　　工作温度范围 Tj：-55°C 至 +175°C
　　栅极电荷 Qg：39nC
　　反向恢复时间 trr：80ns

特性

PSMN2R1-40PL 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（2.1mΩ @ Vgs=10V），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　2. 高电流承载能力（最大 23A 连续漏极电流），使其适用于大功率应用。
　　3. 小型化的 LFPAK56 封装设计，支持高密度 PCB 布局。
　　4. 快速开关性能，栅极电荷较低（39nC），有助于降低开关损耗。
　　5. 稳定的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适应恶劣环境下的运行需求。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
　　7. 内置 ESD 保护功能，增强器件的可靠性。

应用

PSMN2R1-40PL 广泛应用于需要高效功率转换和负载控制的领域，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. 电机驱动电路中的功率级元件。
　　3. DC/DC 转换器中的主开关或续流二极管替代。
　　4. 计算机和服务器的 VRM（电压调节模块）。
　　5. 工业自动化设备中的负载开关。
　　6. 汽车电子系统中的功率开关元件，例如车身控制模块、电动助力转向系统等。