PSMN2R1-40PL 是一款 N 沟道功率 MOSFET,由 NXP Semiconductors 生产。该器件采用 Trench 技术制造,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于各种开关应用和负载驱动场景。其封装形式为 LFPAK56(Power-SO8),适合表面贴装工艺。
PSMN2R1-40PL 的额定电压为 40V,能够承受较高的瞬态电压,并且具备优秀的热性能和电气性能。
型号:PSMN2R1-40PL
类型:N 沟道功率 MOSFET
封装:LFPAK56 (Power-SO8)
最大漏源电压 Vds:40V
最大栅源电压 Vgs:±20V
连续漏极电流 Id:23A
导通电阻 Rds(on):2.1mΩ @ Vgs=10V
总功耗 Ptot:12W
工作温度范围 Tj:-55°C 至 +175°C
栅极电荷 Qg:39nC
反向恢复时间 trr:80ns
PSMN2R1-40PL 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(2.1mΩ @ Vgs=10V),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力(最大 23A 连续漏极电流),使其适用于大功率应用。
3. 小型化的 LFPAK56 封装设计,支持高密度 PCB 布局。
4. 快速开关性能,栅极电荷较低(39nC),有助于降低开关损耗。
5. 稳定的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适应恶劣环境下的运行需求。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
7. 内置 ESD 保护功能,增强器件的可靠性。
PSMN2R1-40PL 广泛应用于需要高效功率转换和负载控制的领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. DC/DC 转换器中的主开关或续流二极管替代。
4. 计算机和服务器的 VRM(电压调节模块)。
5. 工业自动化设备中的负载开关。
6. 汽车电子系统中的功率开关元件,例如车身控制模块、电动助力转向系统等。
PSMN2R0-40PL
PSMN2R8-40PL