制造商: On Semiconductor
　　产品类型: 光电耦合器
　　封装类型: DIP-8
　　通道数: 1
　　最大正向电流: 50 mA
　　最大反向电压: 6 V
　　最大集电极电压: 30 V
　　最小电流传输比（CTR）: 100%
　　最大传播延迟: 2.0 μs
　　工作温度范围: -40°C ~ +110°C

HCPL18100DE的主要特性之一是其出色的电流传输比（CTR）性能，典型值可达100%以上，使得其在低输入电流条件下仍能保持良好的输出响应，从而降低驱动电路的功耗。该器件采用高耐压设计，集电极至发射极的最大电压为30 V，适用于多种电源电压等级的系统。此外，其最大传播延迟时间仅为2.0 μs，确保了在高速开关应用中的快速响应能力。
　　这款光耦合器内部采用了高效率的红外发光二极管（LED）和硅光电晶体管，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能，范围从-40°C到+110°C，适用于各种工业和车载环境。封装形式为标准的DIP-8，便于在PCB上的布局和焊接，并与其他光耦合器兼容，提升了设计灵活性。

HCPL18100DE广泛应用于工业控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、变频器、伺服驱动器和电机控制器等，用于将控制信号与功率部分隔离，提高系统的稳定性和安全性。此外，它也常用于电源管理系统，例如开关电源、DC-DC转换器以及不间断电源（UPS），用于实现输入与输出之间的信号隔离。在通信设备中，该光耦合器可用于隔离数据传输线路，防止地电位差引起的干扰和损坏。其高耐压和快速响应特性也使其适用于电动汽车和充电桩中的高压隔离电路，保障系统的可靠运行。

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　　 "HCPL-181-00DE",
　　 "PC817",
　　 "6N137",
　　 "TLP521"
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