工作电压范围：10V ~ 20V（电源VDD）
　　高压侧电压最大值：600V
　　驱动电流：最大拉电流/灌电流为500mA/500mA
　　工作频率：最高支持1MHz
　　传输延迟：典型值为15ns
　　输出驱动能力：支持高侧和低侧独立控制
　　封装形式：8引脚SOIC（表面贴装）
　　工作温度范围：-40°C至+125°C

NB650HGLP 具备多项高性能特性，首先是其高侧浮动电源设计，支持高达600V的电压，使其适用于高压应用。芯片内部集成的死区时间控制和欠压保护功能，能够有效防止上下桥臂直通现象，提升系统稳定性与安全性。此外，NB650HGLP 具有较低的传输延迟和延迟匹配时间，确保了在高频工作条件下的精确控制。该芯片还具备较强的抗噪声干扰能力，采用CMOS工艺制造，功耗低且响应速度快。其封装形式为8引脚SOIC，便于PCB布局并提升散热性能。NB650HGLP 还支持宽温度范围工作，适用于工业级和汽车电子应用环境。
　　此外，NB650HGLP 采用高压集成电路（HVIC）技术，将高压电路和低压控制电路集成在同一芯片上，从而简化了外部电路设计并提高了整体系统的可靠性。该器件还具备欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于安全阈值时，自动关闭输出，防止器件在非正常状态下工作。其输出驱动能力强，可直接驱动大功率MOSFET和IGBT，减少外部驱动电路的需求，从而降低整体设计复杂度和成本。同时，其独立的高侧和低侧驱动输出，使得用户可以根据应用需求灵活配置PWM控制方式。

NB650HGLP 常用于各种高效率、高频率的功率转换系统中。典型应用包括：全桥或半桥式DC-DC转换器、无刷直流电机驱动、感应加热电源、光伏逆变器、UPS不间断电源系统以及工业自动化设备中的功率驱动模块。此外，该芯片也适用于车载充电器、储能系统和新能源设备中的功率开关控制。由于其高耐压能力和高频工作特性，NB650HGLP 在需要高功率密度和紧凑设计的现代电子系统中具有广泛的应用前景。

NCP5101P, IR2110, FAN7380, LM5112