类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：800V
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.2Ω
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

WA4P080WA5R1000是一款高性能的功率MOSFET，具备优异的导通和开关特性。其最大漏源电压为800V，适用于高电压应用，能够承受较大的电压应力，确保在恶劣工作条件下的稳定性。漏极电流额定值为5A，能够在较高电流下稳定运行，适用于多种功率转换应用。
　　该器件的导通电阻较低，典型值为1.2Ω，有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，WA4P080WA5R1000的栅极电压范围为±20V，具有较高的栅极耐压能力，能够在各种驱动条件下保持稳定的工作状态。
　　其工作温度范围从-55°C到+150°C，适应性强，可以在极端温度环境下正常运行，适用于工业和汽车等对温度要求较高的应用场合。WA4P080WA5R1000采用TO-220封装，具有良好的散热性能，确保在高功率工作时的稳定性和可靠性。
　　该MOSFET的结构设计优化了开关特性，减少了开关损耗，提高了器件的响应速度，适用于高频开关应用。同时，该器件具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，能够在突发情况下提供额外的安全保障。

WA4P080WA5R1000广泛应用于电源管理系统、开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机控制电路、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器和电动汽车充电器）中。由于其高电压和高电流能力，WA4P080WA5R1000特别适合需要高效能和高可靠性的电力电子应用，能够满足现代电子设备对功率密度和能效的严格要求。在工业控制系统中，该器件可以用于驱动高功率负载，如继电器、电磁阀和电动机，提供稳定可靠的控制性能。

IXFH5N80Q, FQA5N80C, FDPF5N80, STF5NM80