TF070N04NG是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,适用于高频开关和功率管理应用。该器件采用了先进的制造工艺,在低导通电阻和快速开关性能方面表现出色,适合在电源适配器、LED驱动器以及DC-DC转换器等场景中使用。
该型号的封装形式为SOT23-3L,体积小巧,便于在高密度电路板上进行布局和安装。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:1.5A
导通电阻(典型值):80mΩ
栅极电荷:6nC
开关速度:超快恢复
工作结温范围:-55℃至150℃
1. 超低导通电阻有助于降低功率损耗,提升系统效率。
2. 快速开关能力减少了开关损耗,特别适合高频应用场景。
3. 小型化SOT23封装节省PCB空间,同时具备良好的散热性能。
4. 高可靠性和稳定性,适应较宽的工作温度范围。
5. 具备ESD保护功能,增强了器件在实际应用中的抗静电能力。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. LED驱动电路中的负载开关。
4. 电池保护和便携式电子设备中的电源管理。
5. 各类消费类电子产品中的信号切换和控制功能。
IRF7404
AO3400
FDMQ8204