时间：2025/7/22 18:15:45
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STF202-22T1G 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的高频晶体管。该器件主要用于射频（RF）和中频（IF）放大应用，适用于通信设备、无线基础设施、广播设备以及工业控制系统等高频电路领域。STF202-22T1G 采用 SOT-223 封装形式，具有良好的高频性能和热稳定性。
类型：NPN 双极型晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：30V
集电极-基极电压（VCBO）：50V
发射极-基极电压（VEBO）：5V
集电极电流（IC）：1.5A
功率耗散（PD）：25W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
频率（fT）：250MHz
增益（hFE）：40-250（根据工作电流不同）
封装类型：SOT-223
STF202-22T1G 是一款高性能的 NPN 高频晶体管，其设计特别适用于射频和中频放大器应用。该晶体管具有高达 250MHz 的过渡频率（fT），使其能够在高频环境下提供出色的增益和稳定性。此外，STF202-22T1G 具有较高的集电极电流能力（1.5A）和功率耗散（25W），可以在高功率条件下稳定运行，适合用于需要一定输出功率的放大电路。
这款晶体管的 hFE（电流增益）范围为 40 至 250，具体值取决于工作电流。这种可变增益特性使得它在多种放大器设计中具有灵活性，能够适应不同的偏置条件和信号放大需求。SOT-223 封装不仅提供了良好的热管理能力，还支持表面贴装工艺，便于在现代电子设备中进行自动化生产。
STF202-22T1G 还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内工作，适用于工业级和通信级设备的需求。其低饱和电压（VCE(sat)）特性也有助于降低功耗并提高效率，适合用于高效率的功率放大器设计。
STF202-22T1G 主要用于射频和中频放大器电路，适用于无线通信基础设施（如基站和无线接入设备）、广播设备（如调频发射器和接收器）、工业控制系统以及电源管理电路。该晶体管的高频性能和较高功率处理能力也使其成为许多高性能模拟电路中的关键组件。
PN2222A, 2N3904, BFQ59, 2SC3355
