类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：450V
　　最大漏极电流（ID）：21A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.24Ω
　　栅极电荷（Qg）：36nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-247
　　最大功率耗散（PD）：200W

IXTH21N45 MOSFET具有多项关键特性，使其在多种高电压开关应用中表现出色。首先，其高达450V的漏源电压（VDS）允许在高电压环境下稳定运行，适用于AC/DC和DC/DC转换器、UPS系统以及工业电机驱动等应用场景。其次，该器件的导通电阻（RDS(on)）为0.24Ω，确保在导通状态下损耗较低，提高了整体系统的能效。此外，该MOSFET具备较快的开关速度，适合用于高频操作，从而减小外部滤波电路的尺寸并提高电源转换效率。
　　其栅极电荷（Qg）为36nC，使得在开关过程中所需的驱动能量较低，从而减少驱动电路的设计复杂度。同时，该器件的封装形式为TO-247，提供了良好的散热性能，能够在较高的功耗下保持稳定的温度表现。IXTH21N45的工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在恶劣的环境条件下可靠运行，广泛适用于工业和高可靠性应用。

IXTH21N45 MOSFET主要应用于高电压和高功率密度的电力电子系统中。例如，它常用于开关电源（SMPS）、DC/DC转换器、AC/DC整流器以及电机控制电路中。此外，在太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET能够作为高效的开关器件，提升系统的整体转换效率。由于其优异的高频特性，IXTH21N45也广泛应用于UPS（不间断电源）系统、LED驱动电源和工业自动化设备中的功率控制模块。在电动车充电设备和工业变频器中，该MOSFET也能胜任高频开关任务，提供稳定的性能和较长的使用寿命。

IRF840, FQA20N45C, STP20N45C2AG