时间：2025/8/6 9:14:14
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VWM350-0075P 是一款由 Vishay（威世）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和高效能特性。该MOSFET通常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。其封装形式为TO-263（D2PAK），便于散热并适用于高电流环境。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：75A
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：7.5mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
VWM350-0075P MOSFET具备多个显著的技术特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为7.5毫欧姆，使得在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其次，该器件的最大漏极电流为75A，能够在高负载条件下稳定运行，适用于高功率密度设计。此外，其最大漏-源电压为30V，适用于中等电压范围内的电源管理应用，如DC-DC转换器和电池管理系统。
该MOSFET采用TO-263（D2PAK）封装，具备良好的散热性能，能够承受较高的工作温度，最高可达175°C。这一特性使其在高温环境中仍能保持稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。同时，其栅极驱动电压范围较宽，支持标准10V驱动电压，兼容多种控制电路。
此外，VWM350-0075P具备快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频开关电源设计。其高耐压能力和优异的热稳定性使其在汽车电子、工业控制、电源管理和电机驱动等领域具有广泛的应用前景。
VWM350-0075P MOSFET主要应用于高功率电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路。在电源管理领域，该器件可作为高效能开关元件，用于提升转换效率并减少热量产生。在汽车电子方面，该MOSFET可用于电池管理系统、车载充电器和电动助力转向系统。此外，在工业控制和自动化设备中，该器件可应用于高电流负载的开关控制，如伺服电机驱动和工业电源模块。由于其优异的热性能和高电流承载能力，也适用于高密度电源模块和嵌入式系统设计。
SiSS288N, IRF1324S-7PPBF, SQJQ124EP-T1_GE3
