容量：512Mb
　　组织结构：16M x 32
　　电压：1.8V/1.5V
　　时钟频率：最高400MHz
　　数据速率：800Mbps
　　封装类型：186-ball FBGA
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

N7E50-M516RB-40-WFA LPDDR3 SDRAM芯片具有多项关键特性，确保其在多种应用场景下的稳定性和高性能表现。
　　首先，该芯片支持低电压操作，典型电压为1.8V或1.5V，显著降低了功耗，延长了电池供电设备的续航时间。这种低功耗特性使其非常适合用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。
　　其次，N7E50-M516RB-40-WFA的时钟频率可高达400MHz，数据传输速率达到800Mbps，确保了高速数据处理能力。其采用双倍数据速率（DDR）技术，在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据，从而提升数据吞吐量。
　　该芯片采用186-ball FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，具有良好的散热性能和较小的封装体积，适合高密度电路板布局。此外，其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种严苛环境条件下的稳定运行。
　　此外，N7E50-M516RB-40-WFA支持多种低功耗模式，包括自刷新模式（Self-Refresh Mode）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），进一步优化了系统能效。该芯片还具备自动刷新和温度补偿自刷新功能，确保数据在长时间运行中的完整性与可靠性。

N7E50-M516RB-40-WFA LPDDR3 SDRAM芯片主要应用于需要高性能和低功耗内存的电子设备。例如，它广泛用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备、嵌入式系统和工业控制设备等消费类和工业类电子产品中。此外，该芯片也适用于网络设备、多媒体播放器、车载信息系统和智能家电等需要高效内存支持的应用场景。其高数据传输速率和低功耗特性使其成为对电池寿命敏感的移动设备的理想选择。

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