时间：2025/9/2 13:53:23
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H5AN4G8NAFR-UHC是由SK Hynix生产的一种NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储解决方案，适用于需要大容量存储和高性能数据读写的设备。这款NAND闪存芯片采用4GB容量设计，支持多位数据存储（MLC），具备较高的可靠性和稳定性，是嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、工业计算机和消费类电子产品中常用的存储元件。
容量：4GB
封装类型：TSOP
电压范围：2.7V - 3.6V
接口：ONFI 2.3
工作温度范围：-40°C至+85°C
读取速度：最高50MB/s
写入速度：最高25MB/s
数据保持时间：10年
擦写次数：10,000次
封装尺寸：48-Pin TSOP
H5AN4G8NAFR-UHC是一款高性能的NAND闪存芯片，采用先进的MLC（多层单元）技术，具有较高的存储密度和较低的每比特成本，非常适合用于高容量数据存储需求的应用场景。该芯片支持ONFI 2.3接口标准，可提供高达50MB/s的读取速度和25MB/s的写入速度，满足快速数据存取的需求。
此外，该器件具有较强的环境适应能力，工作温度范围宽达-40°C至+85°C，适用于工业级和高可靠性要求的系统。其封装形式为48引脚TSOP，便于在各种主板上进行安装和布线。
在可靠性方面，H5AN4G8NAFR-UHC具备10年数据保持能力和10,000次擦写周期，确保长期稳定的运行表现。它还具备强大的错误纠正能力和坏块管理机制，可有效延长使用寿命并提高系统的稳定性。
该芯片广泛应用于嵌入式设备、固态硬盘、网络设备、工业控制系统和消费类电子产品中，作为主存储或缓存存储使用。
H5AN4G8NAFR-UHC NAND闪存芯片适用于多种电子设备和系统，包括嵌入式系统、工业控制设备、网络路由器、交换机、固态硬盘（SSD）、数码相机、便携式媒体播放器和智能电视等。由于其高性能、高可靠性和低功耗特性，它特别适合用于需要大容量非易失性存储的应用场景。
H5AN4G8NDFR-UHC,H5AN4G8NAFR-UHC的替代型号可能包括三星的K9F4G08U0A和美光的MT29F4G08ABBEAH4-IT。
