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SI8237BB-D-IS1R 发布时间 时间:2025/8/21 21:18:30 查看 阅读:41

SI8237BB-D-IS1R 是 Silicon Labs(芯科科技)推出的一款高性能、双通道、隔离式栅极驱动器芯片,广泛用于电源转换和电机控制等应用中。该芯片采用Silicon Labs的专利数字隔离技术,提供了优异的电气隔离性能和抗干扰能力。SI8237BB-D-IS1R 特别适用于驱动高功率MOSFET和IGBT器件,确保在高dv/dt环境下稳定工作。

参数

型号: SI8237BB-D-IS1R
  通道数: 双通道
  隔离电压: 5 kVrms
  工作电压范围: 2.5V 至 5.5V
  输出驱动电流(峰值): 4.0 A(拉电流) / 6.0 A(灌电流)
  传播延迟: 最大 85 ns
  脉冲宽度失真: <5 ns
  输入信号类型: 数字输入
  输出类型: 半桥驱动器
  封装类型: 16引脚 SOIC
  工作温度范围: -40°C 至 +125°C

特性

SI8237BB-D-IS1R 具备多项先进特性,确保其在复杂环境下的高可靠性与稳定性。
  首先,该芯片采用了Silicon Labs的数字隔离技术,提供高达5 kVrms的电气隔离,有效防止高压侧与低压侧之间的电气干扰,增强了系统的安全性。
  其次,SI8237BB-D-IS1R 是双通道栅极驱动器,每个通道均可独立控制,适用于半桥拓扑结构。其输出驱动能力较强,峰值拉电流为4.0A,灌电流可达6.0A,能够快速驱动高功率MOSFET或IGBT,从而降低开关损耗,提高效率。
  在时序性能方面,该器件具有极低的传播延迟(最大85ns)和脉冲宽度失真(<5ns),确保上下桥臂开关信号的同步性,避免直通(shoot-through)现象的发生,从而提高系统的稳定性和可靠性。
  此外,SI8237BB-D-IS1R 支持宽范围的输入电压(2.5V至5.5V),兼容多种控制器接口,如MCU或DSP。其宽工作温度范围(-40°C至+125°C)使其适用于工业级和汽车级应用场景。
  该芯片还具备抗高dv/dt干扰的能力,即使在高频开关应用中也能保持稳定的驱动性能,防止误触发。封装采用16引脚SOIC形式,便于PCB布局和散热管理。

应用

SI8237BB-D-IS1R 主要应用于需要高性能隔离驱动的场合,例如:
  1. 工业电机驱动器和伺服控制器
  2. 电源转换器(如DC-DC转换器、AC-DC电源模块)
  3. 逆变器系统(如太阳能逆变器、UPS不间断电源)
  4. 电动汽车充电系统及车载电力电子设备
  5. 电机控制和工业自动化设备
  6. 高压IGBT和MOSFET的驱动电路
  7. 电力电子模块中的半桥或全桥拓扑结构驱动
  8. 高可靠性工业设备中的隔离信号传输与控制电路

替代型号

ADuM4223-2BRIZ, UCC21520DWPG4, NCD57001DR2G, IRS2004SPBF

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SI8237BB-D-IS1R参数

  • 现有数量2,500现货
  • 价格1 : ¥32.83000剪切带(CT)2,500 : ¥17.52954卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术容性耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)20kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)60ns,60ns
  • 脉宽失真(最大)5.6ns
  • 上升/下降时间(典型值)20ns,20ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低250mA,500mA
  • 电流 - 峰值输出500mA
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电9.4V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE