时间：2025/8/24 23:35:21
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HGTG20N60C3R是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET适用于高功率开关应用，具有较低的导通电阻和优异的热性能，适用于工业电源、电机控制、DC-DC转换器、UPS系统等应用场景。HGTG20N60C3R采用了先进的沟槽栅极技术，提供更高的效率和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
漏极电流(Id)：20A（最大）
导通电阻(Rds(on))：0.25Ω（典型值）
栅极电压(Vgs)：±20V
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
HGTG20N60C3R MOSFET具有多个关键特性，使其在高性能功率转换系统中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为0.25Ω，有助于减少导通损耗，提高整体效率。其次，该器件采用了先进的沟槽栅极结构，提供更优的电场分布，从而增强了器件的耐压能力和稳定性。此外，HGTG20N60C3R具有较高的热稳定性，最大工作温度可达150°C，适用于高温环境下的运行。
该MOSFET的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，便于安装在散热片上以提高散热效率。同时，其快速开关特性使其适用于高频开关应用，减少了开关损耗并提高了系统响应速度。HGTG20N60C3R还具有较高的短路耐受能力，确保在异常工作条件下的可靠性。
另外，HGTG20N60C3R的栅极驱动电压范围为±20V，使其兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。该器件还具备良好的抗静电能力，防止在操作和安装过程中受到静电损伤。
HGTG20N60C3R广泛应用于多种高功率电子系统中，包括工业电源、不间断电源（UPS）、电动工具、电机驱动器、DC-DC转换器、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等。在这些应用中，HGTG20N60C3R的高效开关特性、低导通损耗和高热稳定性能够显著提升系统的整体性能和可靠性。例如，在UPS系统中，HGTG20N60C3R可用于DC-AC逆变器模块，实现高效的能量转换；在电机控制应用中，该MOSFET可作为主开关器件，提供稳定的高电流输出。
SGW20N60C3, FGH20N60SMD
