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M29F400B-120M1 发布时间 时间:2025/7/22 6:47:18 查看 阅读:10

M29F400B-120M1 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款4MB(位)闪存芯片,采用NOR闪存技术。该器件广泛用于需要快速读取和可编程存储的应用,例如嵌入式系统、固件存储和数据存储设备。M29F400B-120M1 采用55nm工艺制造,具备高性能和低功耗特性,适用于工业、消费电子和汽车应用。

参数

容量:4Mbit(512KB x8 / 256KB x16)
  电压范围:2.7V 至 3.6V
  访问时间:120ns
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数量:56
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
  读取电流:典型值 15mA
  待机电流:最大 10μA
  编程/擦除电压:内部电荷泵生成,无需高压电源
  擦除块大小:单块(Single Block)或多个块(Multi-block)结构

特性

M29F400B-120M1 是一款高性能、低功耗的闪存芯片,具有优异的读取性能和稳定的存储特性。该芯片支持随机读取访问时间低至120ns,适用于需要快速数据访问的嵌入式系统。其电压范围为2.7V至3.6V,兼容多种电源供应系统,并且在待机模式下仅消耗极低的电流(最大10μA),非常适合电池供电设备。
  这款芯片采用TSOP封装,具有良好的热稳定性和机械稳定性,适合在严苛的工业环境中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C,满足工业级和汽车级应用的需求。M29F400B-120M1 支持软件控制的块擦除和编程操作,用户可以通过标准的异步接口进行操作,无需额外的硬件支持。
  闪存结构方面,M29F400B-120M1 提供单块或多个块的擦除选项,使用户能够灵活地管理存储空间。同时,该芯片内置错误保护机制,包括写入保护和擦除失败自动恢复功能,确保数据完整性。其编程和擦除操作由内部电荷泵提供高压,无需外部高压电源,简化了系统设计。

应用

M29F400B-120M1 主要用于需要非易失性存储的嵌入式系统,例如微控制器固件存储、工业控制系统、通信设备、消费类电子产品(如打印机、机顶盒)以及汽车电子系统(如仪表盘、车载娱乐系统)。由于其低功耗特性和宽温度范围,也适用于便携式设备和远程传感器应用。

替代型号

M29F400B-120N1, M29F400B-90M1, M29F400BT-120M1, M29F400BB-120M1, M29F800B-120M1

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