IXGH35N120 时间：2025/8/6 3:10:02 阅读：17

IXGH35N120是一款由IXYS公司制造的高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT），适用于需要高效能和高可靠性的电力电子应用。该器件结合了MOSFET的易驱动特性与双极晶体管的高电流和低导通压降特性，适用于各种高电压和高电流操作环境。

参数

类型：IGBT
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　最大集电极电流（IC）：70A（在Tc=100℃）
　　短路耐受能力：典型值为10μs
　　最大工作温度：150℃
　　封装类型：三端子TO-247
　　导通压降（VCEsat）：约2.1V（在IC=35A，VGE=15V）
　　输入电容（Cies）：约1200pF
　　输出电容（Coes）：约300pF

特性

IXGH35N120 IGBT采用了先进的平面穿通（PT）技术，提供了较低的导通压降和快速的开关性能。其独特的芯片设计和结构增强了器件的短路耐受能力，使其在高应力条件下依然能够保持稳定工作。
　　该器件的导通压降（VCEsat）在额定电流下保持较低水平，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。同时，其开关损耗较低，有助于减少在高频应用中的能量损失。
　　IXGH35N120的封装设计确保了良好的热管理和电气绝缘性能，适用于高功率密度应用。此外，该器件具有良好的抗浪涌电流能力，能够承受瞬时过载而不会损坏。
　　该IGBT还具有良好的栅极驱动兼容性，可以与常见的驱动电路配合使用，简化了系统设计。其高可靠性和长寿命使其成为工业和电力电子设备的理想选择。

应用

IXGH35N120广泛应用于需要高功率和高效能的场合，如变频器、电机驱动器、逆变器、UPS系统、电焊机以及太阳能逆变器等。在这些应用中，它能够提供稳定的性能和高可靠性，确保系统在高负载条件下依然能够正常运行。
　　此外，该器件还适用于需要高频开关的应用，如感应加热和高频电源转换系统。由于其低导通压降和快速恢复特性，IXGH35N120在这些场合中可以有效降低能量损耗，提高整体系统效率。
　　在工业自动化和电力调节系统中，该IGBT常用于控制大功率电机和负载，确保系统的稳定性和高效性。其良好的短路保护能力和过载耐受性也使其在恶劣工作环境下具有出色的可靠性。