时间：2025/9/23 17:35:03
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FAR-F6KB-1G9600-B4GP-Z 是一款由 Renesas Electronics 生产的高性能、低功耗的铁电随机存取存储器（Ferroelectric RAM，简称 F-RAM）。该器件结合了传统 RAM 的高速读写能力和非易失性存储器的数据保持特性，能够在断电后长期保存数据而无需备用电源。F-RAM 技术基于铁电晶体材料，利用其极化状态来存储数据位，从而实现几乎无限次的读写耐久性和极低的写入功耗。该型号采用先进的制造工艺，具备高可靠性，适用于对数据写入频率高、写入速度要求快以及功耗敏感的应用场景。该芯片封装形式为小型化 BGA 封装，适合空间受限的嵌入式系统设计。
类型：F-RAM（铁电 RAM）
容量：1 Mbit（128 K × 8）
工作电压：2.7V 至 3.6V
接口类型：异步并行接口
时钟频率：最高支持 96 MHz
访问时间：最大 55 ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：60-ball FBGA（6mm × 8mm）
写入耐久性：10^14 次读/写周期
数据保持时间：超过 10 年（典型值）
写入功耗：显著低于同类 EEPROM 或 Flash 存储器
待机电流：典型值 10 μA
主动电流：典型值 12 mA（在 96 MHz 下）
FAR-F6KB-1G9600-B4GP-Z 采用 Renesas 先进的铁电存储技术，使其具备卓越的读写性能和超高的耐久性。与传统的 EEPROM 或 Flash 存储器不同，F-RAM 不需要写入前的擦除操作，所有字节均可直接写入，极大地提升了写入效率，并避免了因频繁擦写导致的器件磨损问题。该器件支持高达 96 MHz 的时钟频率，访问时间最短可达 55 ns，能够满足高速数据采集和实时记录系统的严苛要求。其写入操作的功耗远低于传统非易失性存储器，特别适用于电池供电或能量采集系统中，有助于延长设备运行时间。
该芯片具备出色的抗辐射和抗干扰能力，适用于工业控制、医疗设备、汽车电子等对可靠性要求较高的领域。其数据保持能力在常温下可超过 10 年，且无需备用电池或超级电容即可实现断电保护。F-RAM 的写入寿命高达 10^14 次，相比 Flash 的约 10^5 次和 EEPROM 的约 10^6 次，具有数量级上的优势，极大减少了因存储器寿命耗尽而导致系统故障的风险。
此外，该器件支持标准的并行接口协议，兼容通用微处理器和控制器的总线接口，简化了系统集成过程。内置的数据轮询和写保护功能增强了系统的安全性与稳定性。封装采用 60-ball FBGA，尺寸紧凑，适合高密度 PCB 布局。整体设计兼顾高性能、低功耗与高可靠性，是替代传统非易失性存储器的理想选择。
FAR-F6KB-1G9600-B4GP-Z 广泛应用于需要频繁写入、高速响应和高可靠性的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的实时数据日志记录，如 PLC 控制器、传感器节点和远程监控设备，这些系统通常需要持续不断地保存运行状态和事件信息，传统存储器难以承受如此高的写入负载。在医疗电子设备中，如病人监护仪、便携式诊断设备，该芯片可用于安全存储患者数据和设备配置参数，确保断电后数据不丢失，同时满足严格的功耗和可靠性要求。
在汽车电子领域，该器件适用于车身控制模块、车载记录仪和发动机管理系统，用于存储里程、故障码、校准数据等关键信息。其宽温工作范围和高抗干扰能力确保在复杂电磁环境和极端温度条件下仍能稳定运行。此外，在智能仪表、POS 终端、通信基站和航空航天电子系统中，该 F-RAM 芯片也发挥着重要作用，提供快速、可靠的非易失性数据存储解决方案。由于其无需写延迟和高耐久性，特别适合用于缓冲存储、参数备份和事件触发记录等任务。
CY15B104QSX
