类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：160A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：约1.75mΩ（最大值）
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

N320CH38 MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，使其在高电流负载下仍能保持较低的导通损耗。其Rds(on)值非常低，可显著减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
　　该器件还具备高雪崩能量耐受能力，使其在开关过程中能够承受较高的瞬态电压冲击，增强了系统的稳定性和可靠性。
　　此外，N320CH38的封装形式为TO-247，这种封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，以适应高功率密度应用的需求。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间工作，适用于多种驱动电路设计。同时，其高dv/dt抗扰能力使其在高频开关应用中表现优异。
　　该器件还具有良好的温度稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的导通性能，适用于苛刻的工业环境。

N320CH38广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、工业电源、UPS系统、电池管理系统和大功率LED照明驱动电路。
　　在DC-DC转换器中，N320CH38的低导通电阻和高效率特性可以显著提升电源转换效率，减少发热损耗。
　　在电机控制系统中，该器件可用于H桥驱动电路，实现对电机的高效控制和快速响应。
　　此外，该MOSFET也常用于高功率LED照明系统中的恒流驱动电路，以确保LED的稳定工作并延长使用寿命。
　　由于其出色的热性能和高可靠性，N320CH38也常被用于不间断电源（UPS）和储能系统中的功率开关电路。

SiHF160N100D、IXFH160N10T4、STP160N10F7、FDMS86180、IPW90R150P7S