UGS04A24T3V3是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,主要应用于高频和高效率的电源转换场景。它采用了先进的GaN工艺,具有极低的导通电阻和快速的开关速度,能够显著提高系统的效率并减少热损耗。
该器件适用于多种电源管理应用,例如DC-DC转换器、无线充电设备、快充适配器以及电机驱动等。其封装形式为表面贴装型(SMD),便于自动化生产和高效散热。
额定电压:650V
额定电流:4A
导通电阻:40mΩ
栅极电荷:40nC
最大工作温度:175°C
封装类型:TO-252(DPAK)
输入电容:980pF
输出电容:25pF
反向恢复时间:<10ns
UGS04A24T3V3的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低传导损耗。
2. 快速的开关性能,支持高达数兆赫兹的工作频率。
3. 高击穿电压能力,确保在高压环境下的可靠运行。
4. 内置过温保护和过流保护功能,增强系统安全性。
5. 采用氮化镓材料,具备更高的能效与更小的体积优势。
6. 具备出色的热稳定性和可靠性,适合长时间连续工作。
7. 支持表面贴装技术,易于集成到现代化的电路板设计中。
UGS04A24T3V3广泛应用于以下领域:
1. 高频DC-DC转换器及电源模块。
2. USB PD快充适配器和其他消费类电子设备的电源管理。
3. 无线充电发射端和接收端的功率传输控制。
4. 小型化、高效化的电机驱动系统。
5. 工业级开关电源(SMPS)及不间断电源(UPS)。
6. LED照明驱动电源及其他高效率电力转换应用。
UGS04A24T3V2
UGS04A24T3V4
GAN041-650WSA