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BC858CDW1T1G 发布时间 时间:2025/8/1 19:16:08 查看 阅读:42

BC858CDW1T1G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的NPN型晶体管,属于小信号晶体管系列。该器件广泛应用于各种电子电路中,尤其适合用于低功耗、高性能的信号处理和放大电路。BC858CDW1T1G采用了SOT-23-3封装,适合用于表面贴装技术(SMT)电路设计,提供高可靠性和紧凑的电路布局。这款晶体管具有良好的频率响应和热稳定性,能够满足大多数通用电子应用的需求。

参数

晶体管类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):30V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功率耗散:300mW
  增益带宽积(fT):250MHz
  电流增益(hFE):110至800(根据等级)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-23-3

特性

BC858CDW1T1G晶体管具备多项优异特性,使其在各种电子应用中表现出色。首先,其高频响应能力高达250MHz,适用于需要快速开关和高频信号放大的电路。其次,该晶体管的电流增益(hFE)范围广泛,从110到800,根据不同的等级划分,用户可以根据设计需求选择合适的型号,增强了电路设计的灵活性。
  此外,BC858CDW1T1G采用SOT-23-3封装,体积小巧,适合用于高密度PCB布局。这种封装方式不仅降低了电路板空间占用,还提升了整体电路的热稳定性和可靠性。晶体管的最大集电极电流为100mA,最大集电极-发射极电压为30V,能够在中等功率范围内稳定运行。
  在功耗方面,BC858CDW1T1G的最大功率耗散为300mW,适合低功耗设计需求。同时,其工作温度范围为-55°C至150°C,适应性广泛,能够在多种环境条件下稳定工作。这使得该晶体管在工业控制、消费电子、通信设备等领域都有良好的应用表现。
  BC858CDW1T1G的高可靠性设计和优异的电气性能使其成为一款理想的通用晶体管,能够满足大多数模拟和数字电路的设计需求。

应用

BC858CDW1T1G晶体管广泛应用于多个电子领域。在模拟电路中,它常用于信号放大器、电压跟随器和开关电路。在数字电路中,该晶体管可用于逻辑门电路、缓冲器和驱动电路,提供稳定和高效的信号处理能力。
  在消费电子产品中,BC858CDW1T1G可用于音频放大、电源管理和信号处理。例如,在便携式设备中,它可以作为音频信号的前置放大器,提高音频质量。在电源管理电路中,该晶体管可用于控制电源的开关和调节,提高能源利用效率。
  工业控制领域中,BC858CDW1T1G可以用于传感器信号放大、继电器驱动和数据采集系统。由于其高频响应特性,该晶体管也适用于射频(RF)前端电路和无线通信设备中的信号处理部分。
  此外,在汽车电子系统中,BC858CDW1T1G可用于发动机控制、照明系统和车载娱乐系统的电路设计。其宽温度范围和高可靠性使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。

替代型号

BC848CDW1T1G, 2N3904, BC547, PN2222A

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BC858CDW1T1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 PNP(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)650mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)420 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大380mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)