时间：2025/6/22 5:40:20
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FN18N561J500PSG是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率控制的场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，从而能够显著降低功耗并提高系统效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：560V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大连续漏极电流Id：18A
导通电阻Rds(on)：0.18Ω（典型值，Vgs=10V）
总功耗Ptot：370W
结温范围Tj：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
FN18N561J500PSG具有以下显著特性：
1. 高击穿电压（560V），使其适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻（0.18Ω），有助于减少传导损耗。
3. 快速开关性能，支持高频工作条件，适合于现代高效功率转换需求。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。
5. 强大的电流承载能力（18A），满足大功率应用的需求。
6. 封装采用标准TO-247，便于安装与散热设计。
这些特性使得该器件成为许多高功率密度应用的理想选择。
FN18N561J500PSG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
4. UPS（不间断电源）系统的功率管理模块。
5. 工业自动化设备中的功率控制单元。
由于其高耐压和大电流承载能力，该器件特别适合于工业和汽车电子领域的高可靠性要求的应用。
IRFP250N, STP18NF56, FQA18N56C
