时间：2025/5/8 14:19:10
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MURA130T3G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，采用常关型设计。该器件适用于高频开关应用，例如电源转换、无线充电以及工业驱动等场景。它具有低导通电阻和高开关速度的特点，可显著提高系统效率并减小整体尺寸。
该型号为 TO-247 封装形式，能够提供出色的散热性能和电气稳定性，适合中高功率级别的应用环境。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：130A
导通电阻：9mΩ
栅极电荷：85nC
开关频率：超过1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
MURA130T3G 的核心优势在于其氮化镓材料带来的卓越性能。与传统硅基 MOSFET 相比，该器件具备更低的导通电阻，从而减少传导损耗；同时支持更高的开关频率，使得磁性元件体积更小，进一步降低系统成本。
此外，该芯片拥有快速恢复二极管结构，能够有效抑制反向恢复引起的振荡问题。其封装形式也经过优化，确保良好的热管理和机械可靠性。
MURA130T3G 还内置了过流保护和短路耐受能力，增强了产品的安全性和鲁棒性。
这款功率晶体管广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器
2. 工业电机驱动和伺服控制器
3. 太阳能逆变器中的功率变换模块
4. 电动汽车充电设备和车载充电器
5. 高效照明系统，例如 LED 驱动电路
由于其高频特性，该芯片也非常适合无线能量传输等新兴技术的需求。
MURS130T3G, MURA150T3G
