时间：2025/9/14 15:26:03
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BUK7E2R3-40E,127 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于需要高效能、低导通电阻和快速开关特性的应用场合。该MOSFET采用先进的Trench技术，具有卓越的热稳定性和可靠性，适合于高电流负载和高频开关电路。其主要设计目标是提供低RDS(on)（导通电阻），以减少功率损耗并提高系统效率。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：40V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：160A（在25°C下）
导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
安装类型：表面贴装
功率耗散(PD)：200W
技术：Trench MOSFET
BUK7E2R3-40E,127 的主要特性包括极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低功率损耗，提高效率。该器件采用Trench MOSFET技术，能够在保持高电流处理能力的同时实现小型化设计。其高耐压能力（40V VDS）使其适用于各种高功率应用，如DC-DC转换器、电机控制、电源管理系统和电池充电器。
该MOSFET具有出色的热管理能力，能够在高温度环境下稳定运行。其封装采用表面贴装（SMD）设计，便于自动化生产和PCB布局优化。此外，该器件还具有快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。
安全性和可靠性方面，BUK7E2R3-40E具备良好的短路耐受能力和过热保护特性，确保在极端工作条件下的稳定运行。其宽工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够适应严苛的工业环境。
BUK7E2R3-40E,127 主要用于高性能电源管理和功率转换系统。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、高功率LED照明系统以及汽车电子系统中的电源管理模块。其低RDS(on)和高电流能力也使其成为高效率电源供应器和负载开关的理想选择。
BUK7K160-40E,127；IRF1610PBF；SiR160DP；FDMS86180；IPB016N04L G
