型号：LC3564ST-85-TLM
　　品牌：LRC（乐山无线电）
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大连续漏极电流（ID）：140A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：280A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ @ VGS=10V, ID=70A
　　导通电阻（RDS(on)）：6.0mΩ @ VGS=4.5V, ID=70A
　　输入电容（Ciss）：约 9500pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：约 700pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：约 35ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)
　　安装方式：表面贴装

LC3564ST-85-TLM采用了高性能的沟槽型MOSFET结构，在确保低导通损耗的同时显著提升了开关效率。其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下仅为4.5mΩ，这意味着在大电流通过时产生的热量更少，从而提高了系统的整体能效并减少了对散热装置的需求。这种低RDS(on)特性特别适用于高功率密度的应用场合，如便携式电源设备或车载电子系统，有助于实现小型化与节能兼顾的设计目标。
　　该器件具备优异的动态性能表现，输入电容和输出电容经过优化设计，使得在高频开关环境下仍能保持稳定的响应特性，有效减少开关过程中的能量损耗。同时，其较短的反向恢复时间（trr约35ns）降低了体二极管在非理想关断状态下的功耗，进一步增强了在硬开关拓扑中的可靠性。此外，LC3564ST-85-TLM拥有较强的抗雪崩能力，能够在突发过压或感性负载突变情况下承受一定的能量冲击而不损坏，提升了整个电路的安全裕度。
　　从热管理角度看，TO-252封装提供了良好的热传导路径，配合PCB上的大面积铜箔敷设可实现高效散热，即使在持续高负载运行下也能维持较低的工作温度。器件还具备宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），可在严苛环境条件下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的领域。栅极氧化层经过特殊处理，能够承受±20V的栅源电压，防止因驱动信号波动导致的误触发或击穿风险。综合来看，这款MOSFET在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中等功率开关应用的理想选择之一。

LC3564ST-85-TLM广泛应用于多种需要高效功率切换和低导通损耗的电子系统中。典型应用场景包括各类DC-DC降压或升压转换器，尤其是在大电流输出需求下，如服务器电源模块、笔记本电脑适配器和LED驱动电源等，利用其低RDS(on)特性可以显著提升转换效率并减少发热。在电动工具、无人机和电动自行车等电池供电设备中，该MOSFET常被用作主开关元件或同步整流管，帮助延长电池续航时间。
　　此外，它也适用于电机驱动电路，例如家用电器中的风扇控制、洗衣机马达驱动或工业自动化设备中的继电器替代方案。由于其具备较强的瞬态电流承载能力，因此在启动瞬间存在较大冲击电流的负载控制中表现出色。在电池管理系统（BMS）中，LC3564ST-85-TLM可用于充放电回路的通断控制，配合保护IC实现过流、过温等多重安全机制。
　　该器件还可用于热插拔控制器、负载开关和电源多路复用电路中，凭借快速的开关响应和低静态功耗特性，保障系统在上电或切换过程中平稳运行。在太阳能逆变器、储能系统等新能源领域，该MOSFET也被用于初级侧开关或旁路控制单元，以提高能量利用率。得益于其表面贴装封装形式，LC3564ST-85-TLM非常适合自动化贴片生产线，有利于提高生产效率并降低制造成本。总之，凡涉及中高压、大电流、高频率开关操作的场景，该器件均能发挥出色的性能表现。

SI7465DP-T1-GE3,SZ4404AS,IRF1404ZPBF,STP140N6F7,UPSC402N06B