FMI20N50E 时间：2025/8/9 10:35:02 阅读：37

FMI20N50E是一款由富士电机（Fuji Electric）推出的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、逆变器、电机控制等高功率场合。该器件具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力，适合在中高功率电源转换系统中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：20A
　　脉冲漏极电流（Idm）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.22Ω（典型值）
　　栅极电压（Vgs）：±30V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

FMI20N50E具备优异的导通和开关性能，能够在高电压和大电流条件下稳定工作。其低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下运行，提高了系统的可靠性和寿命。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构，优化了开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。其高耐压能力（500V）使其在AC-DC转换器、DC-DC变换器、逆变器以及工业电机控制中表现出色。
　　封装方面，FMI20N50E采用TO-247封装形式，具备良好的散热性能，便于安装在散热器上，适用于大功率应用场景。该封装也提高了机械强度和耐久性，确保在恶劣环境中稳定运行。

应用

FMI20N50E广泛应用于各类电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器、工业电机驱动器、电焊机、LED照明驱动器等。其高耐压、大电流能力使其特别适合用于中高功率级别的DC-AC和DC-DC转换系统。
　　在开关电源中，FMI20N50E可用于主开关器件，实现高效能的能量转换。在逆变器系统中，它可用于DC到AC的转换，支持太阳能逆变器、储能系统和电动车辆逆变器等应用。同时，由于其高频开关能力，FMI20N50E也可用于高频变压器驱动和功率因数校正电路（PFC）。
　　此外，该器件还可用于工业自动化设备中的电机驱动控制，如变频器和伺服驱动器，提供稳定可靠的功率开关性能。