时间：2025/6/12 0:51:07
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MUN5136T1 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率转换、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于高效率和紧凑型设计。
该器件支持表面贴装封装（SOT-23），适合自动化生产和小型化电路设计。其低栅极电荷和快速开关特性使其非常适合高频开关应用，同时还能有效降低功耗。
型号：MUN5136T1
类型：N沟道增强型MOSFET
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：75mΩ（典型值，Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：3.3A
Ptot（总功耗）：430mW
Vgs（栅源电压）：±20V
Qg（栅极电荷）：3nC
f（工作频率）：支持高频开关
封装形式：SOT-23
MUN5136T1 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻 Rds(on)，在 Vgs=10V 下仅为 75mΩ，可显著降低导通损耗。
2. 支持高达 3.3A 的连续漏极电流 Id，满足多种功率应用需求。
3. 高速开关性能，栅极电荷 Qg 仅为 3nC，适合高频操作。
4. 小型化 SOT-23 封装，便于 PCB 布局和节省空间。
5. 工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
7. 内部具备 ESD 保护功能，提升器件可靠性。
MUN5136T1 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和初级开关。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统的负载开关。
4. 电机驱动中的功率级控制。
5. 照明系统中的 LED 驱动开关。
6. 各类消费电子产品中的信号切换与功率传输。
7. 工业控制和汽车电子中的小型化功率模块设计。
MUN5136T1L, BSS138, AO3400
