时间：2025/5/28 17:08:04
阅读：8
TK7S10N1Z 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。其设计特点包括低导通电阻、快速开关速度以及高效率，能够满足现代电子设备对功率管理的严格要求。
该器件采用 TO-252 封装形式，具备良好的散热性能，适合在紧凑型电路中使用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：13mΩ
总功耗：1.1W
工作结温范围：-55℃ to +150℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 提高了系统的整体效率。
2. 快速开关能力使其适用于高频应用环境。
3. 高雪崩能量耐受性确保在异常条件下仍能保持可靠运行。
4. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
5. 内置静电保护功能增强了器件的鲁棒性。
6. 小型化封装降低了 PCB 占用面积。
1. 开关电源中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 各类电机驱动电路中的功率控制单元。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率放大。
6. 便携式电子设备中的高效电能管理模块。
IRF7404, FDP5800, AO3400
