型号：MTV14N50E
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：14A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：56A
　　功耗（Pd）：150W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω（@Vgs=10V, Id=7A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2~4V（典型值3V）
　　输入电容（Ciss）：1100pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：370pF
　　反向传输电容（Crss）：70pF
　　二极管正向电流（Is）：8A
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220F

MTV14N50E具备出色的电气特性和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高击穿电压之间的平衡。该MOSFET的Rds(on)典型值仅为0.38Ω，在500V耐压器件中属于较低水平，有助于降低导通损耗，提升电源系统的整体效率。器件采用平面栅极工艺，确保了良好的 manufacturability 和一致性，同时增强了长期使用的可靠性。其高达14A的连续漏极电流能力使其能够应对大功率负载需求，而56A的脉冲电流能力则支持短时过载或启动冲击场景下的安全运行。
　　该器件具有良好的开关特性，输入电容和反向传输电容较小，有利于减少驱动电路的能量消耗，并提高高频开关应用中的响应速度。此外，MTV14N50E内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，可在续流过程中有效抑制电压尖峰，减少电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。其雪崩能量额定值较高，表明该器件在遭遇瞬态过压（如电感负载断开）时具备较强的自我保护能力，降低了因电压突变导致损坏的风险。
　　在热管理方面，TO-220F封装提供了良好的散热路径，配合散热片可实现高效的热量散发，确保器件在满负荷运行下仍能维持安全的工作温度。该MOSFET还具备优秀的抗 dv/dt 能力，防止误触发，提高了在噪声环境下的鲁棒性。综合来看，MTV14N50E是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的中高压功率MOSFET，特别适用于需要长时间稳定运行的工业级电源设备。

MTV14N50E主要应用于各类中高功率开关电源系统中，包括AC-DC适配器、离线式反激电源、LED恒流驱动电源以及光伏逆变器等。在这些应用中，它通常作为主开关管使用，承担能量传递和电压变换的核心功能。由于其500V的额定电压，非常适合用于通用输入电压范围（85V~265V AC）的电源设计，能够有效应对电网波动带来的高压应力。
　　在DC-DC转换器拓扑如Boost、Flyback或Half-Bridge结构中，MTV14N50E凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著降低了功率损耗，提升了转换效率。此外，该器件也常用于电机控制电路中，作为驱动桥臂的开关元件，控制直流或单相交流电机的启停与调速。在UPS不间断电源和小型逆变电源中，MTV14N50E可用于H桥拓扑中的功率切换，实现直流到交流的高效转换。
　　由于其良好的热稳定性和抗浪涌能力，MTV14N50E也被广泛应用于家电产品中的电源模块，例如空调、洗衣机和微波炉的控制电源部分。同时，在工业自动化控制系统中，该器件可用于PLC电源、传感器供电模块和继电器驱动电路中，提供稳定可靠的功率开关功能。总体而言，MTV14N50E适用于所有要求高效率、高可靠性和紧凑设计的中等功率电力电子系统。

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　　 "KIA14N50",
　　 "STP14NF50",
　　 "FQP14N50",
　　 "2SK3562",
　　 "H11N50",
　　 "IRFBC40"
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