晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　频率（fT）：250MHz
　　增益（hFE）：110-800（根据电流档位不同）
　　封装类型：SOT-23

MRA1417-2 晶体管具备多项优异的电气特性。其高频响应能力使其非常适合用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路。该晶体管的增益带宽积达到250MHz，能够在较宽的频率范围内保持稳定的放大性能。此外，MRA1417-2 采用 SOT-23 小型封装，便于在高密度 PCB 设计中使用，同时降低了寄生电容的影响，提升了高频性能。
　　该晶体管的工作温度范围较宽，通常在 -55°C 至 +150°C 之间，适合在各种工业环境和消费电子设备中使用。MRA1417-2 的 hFE（电流增益）范围较广，从110到800，根据不同的工作电流，用户可以选择合适的偏置条件以优化电路性能。
　　另外，MRA1417-2 的功耗较低，最大功耗为200mW，有助于提高能效和减少散热设计的复杂性。其集电极-发射极击穿电压为30V，允许在较高电压环境中稳定运行，适用于多种低功率开关和放大电路。

MRA1417-2 晶体管广泛应用于多个电子领域。在通信设备中，它常用于 RF/IF 放大器、混频器和调制解调器等电路中，提供高频信号的增益和稳定性。在消费电子产品中，如无线路由器、蓝牙模块和音频放大器，该晶体管可用于前置放大和信号处理电路。
　　工业控制系统中，MRA1417-2 可作为低功率开关元件，控制继电器、传感器和 LED 显示器等外围设备。此外，该晶体管也适用于测试仪器、电源管理和低噪声放大器（LNA）等应用场景。
　　由于其良好的高频特性和紧凑的封装形式，MRA1417-2 也常用于射频识别（RFID）、无线传感网络和低功耗物联网（IoT）设备中，作为关键的信号放大和处理元件。

2N3904, BC847, PN2222A