WS57C256F-70D 时间：2025/8/21 3:28:12 阅读：7

WS57C256F-70D 是一款由 Winbond（华邦电子）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有低功耗和高可靠性的特点，适用于需要快速数据存取的应用场景。WS57C256F-70D 的容量为256K位（32K x 8），其访问时间仅为70纳秒，能够满足高速缓存和缓冲存储的需求。该器件采用标准的异步接口设计，兼容多种主控设备。

参数

容量：256Kbit (32K x 8)
　　组织方式：x8
　　访问时间：70ns
　　电源电压：5V
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　输入/输出接口：异步
　　封装引脚数：54-pin
　　工作模式：异步静态RAM
　　功耗：典型值150mA（待机模式下<10mA）

特性

WS57C256F-70D SRAM芯片具有多项优异性能。其高速访问时间为70纳秒，确保了快速的数据读写能力，适用于对实时性要求较高的系统。芯片采用CMOS技术，显著降低了功耗，同时在待机模式下电流消耗极低，适合对能效敏感的设计。此外，该芯片支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），能够在各种严苛环境下稳定运行。
　　这款SRAM器件采用54引脚TSOP封装，体积小巧，便于在空间受限的PCB布局中使用。其异步接口设计与多种控制器兼容，简化了硬件设计和集成过程。WS57C256F-70D还具备良好的抗干扰能力，确保数据在复杂电磁环境中保持稳定可靠。此外，该芯片内置地址和数据锁存器，减少了对外部电路的依赖，提高了系统整体稳定性。

应用

WS57C256F-70D 广泛应用于需要高速数据存储和访问的电子系统中。常见用途包括网络设备中的缓存存储器、工业控制系统的临时数据存储、消费类电子产品中的高速缓冲区、通信模块中的数据中继存储，以及嵌入式系统中的程序和数据存储区域。由于其高速性和低功耗特性，也常被用于便携式设备和电池供电系统中，以提高能效并延长使用时间。