MTP2N50EG 时间：2025/9/3 5:38:56 阅读：14

MTP2N50EG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点。MTP2N50EG 常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器以及各种高功率电子设备中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：500V
　　最大漏极电流 Id（连续）：2.0A
　　最大栅源电压 Vgs：±30V
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 2.5Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220
　　晶体管配置：单路

特性

MTP2N50EG 具备多项优良的电气和物理特性。首先，其高耐压能力（Vds=500V）使其适用于高电压开关应用，能够承受较高的电压应力，提高了系统的稳定性。其次，该器件的导通电阻 Rds(on) 仅为 2.5Ω，在导通状态下能有效降低功率损耗，提升系统效率。此外，MTP2N50EG 支持高达 ±30V 的栅源电压，增强了其在复杂控制环境下的适应能力。
　　该 MOSFET 还具备良好的热性能，最大功率耗散为 40W，并可在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于各种工业和恶劣环境应用。其 TO-220 封装形式便于安装和散热管理，适合用于电源模块、电机控制电路和电源适配器等设备中。