MTP2N50EG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造,具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点。MTP2N50EG 常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器以及各种高功率电子设备中。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds:500V
最大漏极电流 Id(连续):2.0A
最大栅源电压 Vgs:±30V
导通电阻 Rds(on):典型值 2.5Ω @ Vgs=10V
功率耗散:40W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-220
晶体管配置:单路
MTP2N50EG 具备多项优良的电气和物理特性。首先,其高耐压能力(Vds=500V)使其适用于高电压开关应用,能够承受较高的电压应力,提高了系统的稳定性。其次,该器件的导通电阻 Rds(on) 仅为 2.5Ω,在导通状态下能有效降低功率损耗,提升系统效率。此外,MTP2N50EG 支持高达 ±30V 的栅源电压,增强了其在复杂控制环境下的适应能力。
该 MOSFET 还具备良好的热性能,最大功率耗散为 40W,并可在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作,适用于各种工业和恶劣环境应用。其 TO-220 封装形式便于安装和散热管理,适合用于电源模块、电机控制电路和电源适配器等设备中。
MTP2N50EG 主要用于各类功率电子系统中,包括但不限于电源管理模块、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、马达驱动器、电池管理系统(BMS)、逆变器以及不间断电源(UPS)。其高耐压和低导通电阻的特性也使其适用于LED照明驱动、工业自动化控制以及智能电网设备中。
STP4N50M5、FQP12N50C、IRFBC40、FDPF5N50