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RSS130N03TB 发布时间 时间:2025/5/30 14:21:04 查看 阅读:7

RSS130N03TB是Rohm公司生产的一款N沟道功率MOSFET,该器件采用TO-263-3(DPAK)封装形式。此型号设计用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。它具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效减少系统损耗并提高效率。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅极源极电压:±20V
  连续漏极电流:130A
  导通电阻:1.4mΩ
  总功耗:17W
  工作结温范围:-55℃ to 175℃

特性

RSS130N03TB拥有非常低的导通电阻,这使其在大电流应用场景中表现优异。此外,其栅极电荷量较小,有助于实现快速开关动作以降低开关损耗。
  由于采用了先进的半导体制造工艺,RSS130N03TB具备较高的耐用性和可靠性,在高温环境下也能保持稳定性能。
  该器件还支持高频率操作,适用于对效率要求较高的现代电子设备。
  此外,RSS130N03TB符合RoHS标准,体现了环保设计理念。

应用

RSS130N03TB广泛应用于各种需要高效能功率处理的领域,包括但不限于:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 电机控制与驱动
  - 工业自动化设备
  - 通信电源
  - 笔记本电脑适配器
  - 充电器模块

替代型号

RSS120N03TJ, RSS150N03TJ

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RSS130N03TB参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.1 毫欧 @ 13A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2000pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称RSS130N03TB-NDRSS130N03TBTR