时间：2025/6/30 10:41:03
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FQPF9N50C是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等特点，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
这款MOSFET由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产，凭借其出色的电气性能和可靠性，成为众多设计工程师的首选。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：9A
栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：1.8Ω
总功耗：160W
结温范围：-55℃至+150℃
FQPF9N50C具有以下主要特性：
1. 高击穿电压（500V），确保在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻（典型值为1.8Ω），可有效降低功率损耗。
3. 快速开关特性，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性，在较宽的工作温度范围内保持一致的性能。
5. 小型化TO-220封装，便于安装和散热设计。
这些特性使其非常适合用于要求高效率和可靠性的功率电子应用中。
FQPF9N50C的应用领域包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 各类电机驱动电路中的功率控制。
4. 逆变器、电磁炉等家用电器的功率管理。
5. 工业设备中的负载切换和保护电路。
由于其高电压和大电流处理能力，这款MOSFET在工业及消费电子领域都拥有广泛的应用前景。
IRF840, STP9NF50, K1008
