时间：2025/6/3 10:21:31
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SI2305 A5SHB 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，具有低导通电阻和高效率的特性，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等领域。
该芯片采用小型化的 SOT-23 封装形式，便于在空间受限的设计中使用。其出色的电气性能使其成为消费电子、通信设备及工业应用的理想选择。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（Rds(on)）：100mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
总功耗：760mW
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 较小的封装尺寸，便于 PCB 布局优化。
4. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
5. 提供良好的静电防护能力（HBM >2kV）。
6. 稳定的工作性能，在较宽温度范围内表现一致。
1. 开关模式电源 (SMPS) 的同步整流。
2. 移动设备中的负载开关。
3. DC-DC 转换器中的功率开关。
4. 电池供电设备中的电源管理。
5. 信号切换与隔离。
6. 各种便携式电子产品的保护电路设计。
SI2302DS, SI2304DS
