时间：2025/6/4 1:55:46
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RB521S-30FJTE61是一款高性能的功率MOSFET器件，基于先进的半导体制造工艺设计。该器件适用于高频开关应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛用于电源管理、电机驱动以及各种工业控制领域。其封装形式为TO-263（D2PAK），具备良好的散热性能，能够满足高功率密度应用的需求。
该芯片通过优化栅极电荷和输出电容参数，确保在高频工作条件下的效率最大化，并且具有出色的热稳定性和电气特性。同时，RB521S-30FJTE61符合RoHS标准，环保且适合现代电子设备的严格要求。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：7nC（典型值）
总功耗(Ptot)：160W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频应用，降低开关损耗。
3. 高电流处理能力，能够承受高达30A的持续漏极电流。
4. 优异的热性能，封装设计允许高效的热量散发。
5. 内置反向二极管，简化电路设计并提供额外保护功能。
6. 宽泛的工作温度范围，适应各种严苛环境条件。
7. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. LED驱动器中的功率调节组件。
7. 各种需要高效功率转换的应用场景。
RB521S-30FJTE51
IRFZ44N
FDP5500
STP30NF06L
