型号：D2147
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：11A
　　导通电阻RDS(on)（max）@VGS=10V：9.5mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max）@VGS=4.5V：13mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷（Qg）：16nC @ VGS=10V
　　输入电容（Ciss）：920pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间（trr）：18ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

D2147具有极低的导通电阻，这使其在大电流应用中能够显著减少导通损耗，提高系统的整体效率。其典型RDS(on)值在VGS=10V时仅为9.5mΩ，在同类器件中处于领先水平，这意味着即使在持续高负载条件下，器件的温升也能保持在较低范围内，有助于延长系统寿命并减少散热设计的复杂度。同时，该MOSFET在VGS=4.5V下的RDS(on)仍保持在13mΩ以内，表明其在低电压驱动环境下依然具备良好的导通能力，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场合，如同步整流或电池供电设备中的开关控制。
　　另一个关键特性是其优化的栅极电荷（Qg）与输出电荷（Qoss）表现。D2147的总栅极电荷仅为16nC，这一数值意味着在高频开关操作中所需的驱动能量较小，从而降低了控制器的驱动负担，并减少了开关过程中的动态损耗。结合较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），该器件能够在高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率下稳定运行，适用于现代高频率DC-DC变换器拓扑结构，如Buck、Boost和同步整流电路。
　　此外，D2147采用了SOP-8封装，这种表面贴装封装不仅节省PCB空间，还通过裸焊盘（exposed pad）设计增强了散热性能。通过将裸焊盘正确连接至地或大面积铜箔，可以实现高效的热传导，进一步提升器件的功率处理能力。该封装还具备良好的机械稳定性和焊接可靠性，适合自动化贴片生产流程，提升了大规模制造的良率和一致性。
　　从可靠性角度看，D2147经过严格的质量测试，具备高抗浪涌能力和良好的热稳定性。其最大工作结温可达+150°C，确保在高温环境中仍能安全运行。同时，内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=18ns），可有效减少在非同步整流应用中因二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），从而提升系统稳定性。综合来看，D2147凭借其低RDS(on)、低Qg、良好热性能和高可靠性的特点，成为中小功率电源设计中的理想选择。

D2147广泛应用于多种电力电子领域，尤其是在需要高效率和小尺寸解决方案的设计中表现出色。典型应用包括便携式电子设备的电源管理系统，例如智能手机、平板电脑和超极本中的DC-DC降压转换器，用于为处理器、内存和其他核心组件提供稳定的低压大电流电源。在这些应用中，D2147常作为上管或下管MOSFET参与同步整流，利用其低导通电阻来最大限度地减少能量损耗，延长电池续航时间。
　　此外，该器件也适用于LED背光驱动电路，特别是在LCD电视和显示器中，用于调节LED串的电流和亮度。由于D2147具备快速开关能力和良好的线性区控制特性，能够实现精确的PWM调光控制，同时保持较高的转换效率。
　　在工业控制和消费类电源适配器中，D2147可用于次级侧同步整流，替代传统肖特基二极管以提升能效。相比二极管，MOSFET整流方案可大幅降低正向压降，尤其在低输出电压（如5V、3.3V）应用中优势明显，有助于满足日益严格的能源之星和CoC能效标准。
　　其他应用场景还包括电动工具的电池管理单元、USB PD快充充电器、服务器电源模块以及电机驱动电路中的H桥开关元件。在电机控制中，D2147可用于驱动小型直流电机或步进电机，凭借其快速响应能力和低导通损耗，实现平稳的速度调节和节能运行。总之，D2147适用于所有要求高效率、高集成度和高可靠性的中低电压功率开关场合。

DMG2147U,TSM2147LBR