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PBLS4004D,115 发布时间 时间:2025/9/14 1:42:02 查看 阅读:17

PBLS4004D,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的双极性晶体管(BJT)阵列器件。该器件内部集成了两个独立的PNP晶体管,适用于需要高稳定性和高性能的电路应用。该晶体管阵列采用小型化的SOT23封装,非常适合空间受限的应用场景,例如便携式电子设备、消费类电子产品和通信设备。其高可靠性和低功耗设计使其成为众多通用开关和放大应用的理想选择。

参数

晶体管类型:双晶体管(PNP)
  集电极-发射极电压(VCEO):40V
  集电极电流(IC):100mA
  功耗(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT23

特性

PBLS4004D,115 的主要特性包括高性能双PNP晶体管集成、低饱和电压、高电流增益以及优异的温度稳定性。由于其内部两个晶体管是独立配置的,因此可以分别用于不同的电路功能,例如信号放大、电平转换或逻辑控制等。该器件的低饱和电压(VCE(sat))确保了在高电流工作状态下仍能保持较低的功耗,从而提高整体系统效率。此外,该晶体管的高电流增益(hFE)使其适用于低噪声放大器和高灵敏度开关电路。
  该器件采用SOT23封装,具有良好的热性能和机械稳定性,能够在恶劣的环境条件下保持稳定运行。Nexperia 的制造工艺确保了其高一致性和可靠性,适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品的广泛应用。

应用

PBLS4004D,115 主要应用于需要双PNP晶体管功能的电路中,包括低频放大器、开关电路、LED驱动、电源管理以及逻辑电平转换。由于其高稳定性和低功耗特性,该器件也广泛用于电池供电设备、便携式仪器和传感器接口电路。此外,它还可用于通信设备中的信号处理模块、音频放大器的前置级放大电路,以及工业自动化系统中的控制电路部分。

替代型号

PMBL4004D,115; PBSS4014T,115

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PBLS4004D,115参数

  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 NPN 预偏压式,1 PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA,700mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V,40V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)22k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)22k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)60 @ 5mA,5V / 300 @ 100mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA / 310mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA,100nA
  • 频率 - 转换150MHz
  • 功率 - 最大600mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称568-7242-6