时间：2025/8/12 21:01:05
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RF7308TR7X是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）生产的高功率射频（RF）晶体管，专为无线基础设施应用设计。该器件基于先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，能够在高频段提供高效率和高线性度的性能，适用于蜂窝基站、微波通信和工业应用中的射频功率放大器。
类型：LDMOS射频功率晶体管
频率范围：2.3 GHz至2.7 GHz
输出功率：典型值为300 W（CW模式）
增益：典型值为22 dB
效率：典型值为45%
工作电压：28 V
封装类型：表面贴装（Surface Mount）
热阻：结到外壳（Rth-jc）约为0.35°C/W
RF7308TR7X采用了先进的LDMOS技术，提供了卓越的线性度和效率，非常适合用于高要求的无线通信系统。该器件在2.3 GHz至2.7 GHz频段内能够提供高达300 W的连续波（CW）输出功率，同时保持较高的功率增益（约22 dB）和能效（45%以上）。其高效的热管理设计确保了在高功率操作下的稳定性和可靠性。
此外，RF7308TR7X采用表面贴装封装，简化了PCB布局和装配过程，适用于大规模生产环境。其高输入阻抗和低输出阻抗特性使得匹配网络设计更加简便，从而降低了整体系统成本。该器件还具备良好的抗失真能力，能够在高功率条件下维持信号的完整性，适用于要求高线性度的应用场景。
由于其卓越的性能指标和可靠性，RF7308TR7X广泛用于4G LTE和5G前传基站的射频功率放大器设计中，同时也适用于W-CDMA、WiMAX和其他宽带无线通信系统。
RF7308TR7X主要应用于无线基础设施领域，包括蜂窝基站、微波通信系统、工业射频加热设备和测试测量仪器。特别适用于需要高功率、高效率和高线性度的射频功率放大器设计，如4G/5G基站、WiMAX系统和宽带无线接入设备。
RFH7308, RFH7310, RFH7312
