时间：2025/9/14 7:45:00
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PSMN7R6-60BS,118 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款功率 MOSFET 器件，属于 TrenchMOS 技术系列。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 设计，具备低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适用于多种功率管理和转换应用。该型号采用标准的 SOT223 封装，具备良好的散热性能，适用于需要高效能和小尺寸设计的电源管理系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
漏极电流(Id)：7.6A
导通电阻(Rds(on))：7.6mΩ @ Vgs=10V
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT223
功率耗散(Pd)：44W
PSMN7R6-60BS,118 的核心优势在于其采用了 NXP 的 TrenchMOS 技术，这种技术通过优化沟槽结构，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件具有较高的电流处理能力，能够在较高负载条件下保持稳定运行。其 SOT223 封装设计不仅提供了良好的散热能力，还确保了在紧凑 PCB 布局中的适用性。该 MOSFET 还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，从而提升高频开关应用中的性能。其宽广的工作温度范围使其能够适应多种恶劣工作环境，包括工业控制、汽车电子等高可靠性要求的场景。
该器件还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，这在某些关键的功率切换应用中尤为重要。此外，PSMN7R6-60BS,118 的设计还优化了热阻参数，确保在高功率运行时依然能保持较低的温升，从而提升系统的稳定性和寿命。
PSMN7R6-60BS,118 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理模块、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及汽车电子系统。在电源管理应用中，它常用于同步整流、功率因数校正（PFC）以及多相供电系统中，以提高电源转换效率。在汽车电子方面，该器件适用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及电机控制单元等场景。此外，在工业自动化控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和变频器中，PSMN7R6-60BS,118 也常用于实现高效的功率切换和负载管理。
Si7456DP, IPPB90N06S4-03, FDS4410AS
