TES 2N-4823 是一种常用的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理、开关电路、负载控制和电机驱动等高功率场景。这款器件具有高效率、低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于需要高效能和可靠性的电路设计中。2N-4823属于TO-220封装系列,具备良好的散热性能,适用于各种工业和消费类电子设备。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):500V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):0.3Ω
功率耗散(Pd):150W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
TES 2N-4823 MOSFET的主要优势在于其高电压和高电流承载能力,使其适用于高功率应用。其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,该器件具备快速开关特性,支持高频操作,适用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和马达控制电路。其TO-220封装提供了良好的热管理和机械稳定性,确保在高负载条件下的可靠运行。
该MOSFET还具有优异的抗雪崩击穿能力,能够在极端条件下保持稳定工作。栅极驱动电压范围宽,通常在10V至15V之间,便于与各种驱动电路匹配。此外,该器件具备较高的短路耐受能力,提升了系统的安全性和稳定性。2N-4823的封装设计也方便安装在散热片上,以提高散热效率,确保长时间运行的可靠性。
TES 2N-4823 常用于电源开关电路、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电池充电器、电机驱动器、照明控制、逆变器以及各种工业自动化设备。其高电压和大电流能力也使其适用于电动工具、家用电器和汽车电子系统中的功率控制应用。
在电力电子系统中,2N-4823可用于构建高效能的开关电源模块和功率因数校正(PFC)电路。此外,它还常用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和工业马达控制装置中,作为关键的功率切换元件。由于其良好的热稳定性和抗过载能力,该器件在恶劣环境条件下仍能保持稳定运行。
IRF840、IRF740、FDPF8N50、STP12NM50、2SK2647