MTP12N10E 时间：2025/6/14 17:34:20 阅读：5

MTP12N10E是一款基于沟槽技术的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），具有高效率、低导通电阻的特点，适用于多种开关和负载驱动应用。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供优异的电气性能和可靠性，同时其小型化封装也使其非常适合于空间受限的设计场景。
　　这款MOSFET通常被用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域，特别适合需要高频开关和低功耗的应用环境。

参数

型号：MTP12N10E
　　类型：N沟道MOSFET
　　Vds（漏源极电压）：100V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值@Vgs=10V）：120mΩ
　　Id（连续漏极电流）：12A
　　Pd（总功耗）：18W
　　栅极电荷（Qg，典型值）：13nC
　　输入电容（Ciss）：940pF
　　反向恢复时间（trr）：65ns
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-220FP

特性

MTP12N10E的主要特性包括：
　　1. 高电压耐受能力，支持高达100V的漏源极电压，确保在高压环境下稳定运行。
　　2. 极低的导通电阻，典型值为120mΩ，从而减少了传导损耗并提高了整体效率。
　　3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷和较短的反向恢复时间，可满足高频应用需求。
　　4. 宽泛的工作温度范围，适应从低温到高温的各种极端环境。
　　5. 小型化的TO-220FP封装，有助于减少PCB板面积占用，提升设计灵活性。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。

应用

MTP12N10E广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和DC-DC转换。
　　2. 各类电机驱动电路，例如步进电机、直流无刷电机等。
　　3. 汽车电子系统中的负载切换与保护功能。
　　4. 工业自动化设备中的信号隔离和功率传输。
　　5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制和保护机制。
　　6. LED照明驱动电路，尤其是需要高效能和紧凑设计的场合。