类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：8 A（单通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：18 mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功耗（PD）：3.6 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：8 引脚 SOIC

NDS8936 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这使得器件在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该特性在 DC-DC 转换器和同步整流器等应用中尤为重要。
　　此外，该器件采用先进的 Trench 技术制造，使得其在较小的芯片面积上实现了更高的电流密度和更低的导通损耗，从而提升了整体性能。
　　NDS8936 具有两个独立的 N 沟道 MOSFET，适用于需要双路独立控制的应用，如 H 桥驱动电路和双通道电源开关。这种双通道设计不仅简化了电路布局，还减少了外部元件的数量，提高了系统的可靠性和紧凑性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的驱动电压，使其适用于多种栅极驱动电路设计，包括使用 5V 控制信号的微控制器系统。
　　由于其 SOIC 封装具有良好的热性能，NDS8936 在高功率应用中能够有效地散热，避免因温度过高而导致的性能下降或损坏。
　　此外，NDS8936 还具备较高的耐用性和抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定工作，适用于工业自动化、汽车电子和消费类电子产品。

NDS8936 广泛应用于需要高效能、低功耗和高集成度的电子系统中。常见的应用包括：
　　1. 电源管理系统：如 DC-DC 升压/降压转换器、负载开关和电池管理系统。
　　2. 电机驱动器：用于小型电机或步进电机的控制，特别是在需要双路独立控制的场合。
　　3. 工业自动化设备：作为高侧或低侧开关，用于控制继电器、传感器和执行器的电源。
　　4. 消费类电子产品：例如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源管理模块。
　　5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED 照明驱动和电动助力转向系统等应用。
　　6. 通信设备：作为电源开关或热插拔保护器件，用于服务器和网络设备中。

Si7461DP, FDS6675C, NVTFS5C471NL, FDMS8878