时间：2025/8/24 13:33:45
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HERAF807G是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适合用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用。其封装形式通常为TO-220或DPAK，便于散热并适用于各种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：最大800V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：连续7A（@25°C）
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.85Ω（@Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：典型值25nC
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220或DPAK
HERAF807G具备低导通电阻，可有效降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压特性使其适用于高压电源应用，能够承受较高的瞬态电压。该器件具有良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
此外，HERAF807G的栅极驱动设计较为简单，适合与常见的PWM控制器配合使用，广泛应用于各种功率开关电路中。其封装形式便于安装和散热，适用于自动化生产和高密度PCB布局。
该MOSFET还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体能效。同时，其内部结构优化，减少了寄生电感和电容，进一步提升了高频工作的稳定性。
HERAF807G主要用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED驱动电源、电池充电器、工业控制设备和家用电器等。在这些应用中，它作为主开关元件，负责高效的能量转换和调节。此外，它也适用于电机控制和负载开关等需要高可靠性和高效率的场合。
HERAF807G的替代型号包括STP8NK80Z、FQA7N80、IRF840、IRFGB40N、HER1080等。
