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SIAA02DJ-T1-GE3 发布时间 时间:2025/8/2 5:24:11 查看 阅读:37

SIAA02DJ-T1-GE3 是由 Vishay Semiconductor(威世科技)生产的一款表面贴装(SMD)双向触发二极管(SIDAC),常用于替代传统气体放电管或可控硅整流器(SCR)在交流开关和过压保护应用中。该器件具有两个电极(A1和A2),在达到其触发电压时会从高阻态切换到低阻态,从而实现导通。SIAA02DJ-T1-GE3 采用紧凑的SOT-223封装,适用于各种需要小型化和高可靠性的电路设计。

参数

类型:双向触发二极管(SIDAC)
  电极数:2
  触发电压 VBO:200V(典型值)
  维持电流 IH:500μA(最大值)
  导通电压 VTM:5V(典型值)
  导通电流 ITM:1A(典型值)
  最大重复峰值电流 ITRM:2A
  最大断态电压 VDRM:200V
  封装形式:SOT-223
  安装方式:表面贴装(SMD)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

SIAA02DJ-T1-GE3 是一款高性能的双向触发二极管,具有出色的稳定性和可靠性。
  其主要特性之一是双向导通能力,使其能够在交流电路中实现对称的触发特性,适用于需要精确控制的开关应用。
  该器件的触发电压(VBO)典型值为200V,在达到该电压后,SIDAC会迅速从高阻态切换到低阻态,从而允许电流通过。
  一旦导通,器件的导通电压(VTM)非常低,典型值为5V,有助于减少导通状态下的功耗。
  此外,SIAA02DJ-T1-GE3 的维持电流(IH)最大为500μA,这意味着即使在非常小的电流下,器件也能保持导通状态,从而确保电路的稳定性。
  其最大重复峰值电流(ITRM)为2A,适用于需要较高电流能力的场合。
  该器件采用SOT-223封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,并且具有良好的热性能,能够有效散热。
  工作温度范围为-55°C至+150°C,适应广泛的工业环境条件,提高了其在恶劣环境下的可靠性。
  由于其固态特性,SIAA02DJ-T1-GE3 比传统的气体放电管具有更长的寿命和更快的响应时间,适用于需要频繁开关或快速响应的应用场景。

应用

SIAA02DJ-T1-GE3 主要用于交流电源控制、过压保护、浪涌抑制、固态继电器、触发可控硅(TRIAC)以及照明控制等应用。
  在交流电机控制中,该器件可以作为触发元件用于控制TRIAC的导通角,从而实现对电机速度的调节。
  在过压保护电路中,SIAA02DJ-T1-GE3 可以用于吸收瞬态电压尖峰,保护后续电路免受损坏。
  由于其双向导通特性,该器件也常用于交流开关电路中,作为无触点开关使用,避免了传统机械开关的磨损问题。
  此外,SIAA02DJ-T1-GE3 还可用于智能电表、工业自动化系统、家电控制电路以及LED照明调光系统中,提供可靠的开关和保护功能。
  其SOT-223封装形式使其适用于表面贴装工艺,适合大批量自动化生产,广泛应用于消费电子、汽车电子和工业控制领域。

替代型号

SIA40DJ-T1-GE3, SIDAC400M-T, SIDAC120M-T

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SIAA02DJ-T1-GE3参数

  • 现有数量1,970现货
  • 价格1 : ¥4.77000剪切带(CT)3,000 : ¥1.68848卷带(TR)
  • 系列TrenchFET? Gen IV
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)22A(Ta),52A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.7毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)33 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)+12V,-8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1250 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.5W(Ta),19W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerPAK? SC-70-6
  • 封装/外壳PowerPAK? SC-70-6