时间：2025/6/7 14:20:42
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MTB75N05HDT4是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适合中等功率的应用场景。
最大漏源电压：50V
最大栅源电压：±20V
最大连续漏极电流：75A
导通电阻：1.8mΩ
总功耗：160W
结温范围：-55℃ to +150℃
MTB75N05HDT4采用了先进的制造工艺，确保了其具备较低的导通电阻，从而降低了传导损耗并提高了系统效率。
此外，它还具有较高的雪崩击穿能量（EAS）能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
该器件的开关速度较快，能够有效减少开关损耗，并且具备良好的热稳定性，使其能够在较宽的温度范围内可靠运行。
同时，其大电流承载能力也使得它非常适合用于需要高电流输出的应用场景。
该MOSFET适用于多种电力电子领域，例如工业设备中的开关电源设计、太阳能逆变器中的功率转换模块、电动车窗或座椅调节等汽车电子系统的电机驱动控制，以及各类负载切换电路。
由于其出色的电气性能和散热性能，这款器件也可以被用作高效能DC-DC转换器的核心组件之一。
IRFZ44N
STP75NF06L
FDP55N06L
