时间：2025/7/2 10:21:39
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IGW25N120H3 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沒道型功率 MOSFET。该器件采用 TO-247 封装形式，适用于高电压和大电流应用场合。其额定漏源极电压为 1200V，连续漏极电流为 25A，主要应用于工业和汽车领域中的开关电源、电机驱动以及逆变器等场景。
这款功率 MOSFET 具有较低的导通电阻、快速的开关速度以及良好的热性能，能够有效提升系统的效率并降低损耗。
型号：IGW25N120H3
封装：TO-247
额定电压(Vds)：1200V
额定电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：2.4Ω
栅极电荷(Qg)：85nC
最大工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
功耗：600W
IGW25N120H3 的主要特性包括：
1. 额定电压高达 1200V，适合高压应用场景。
2. 连续漏极电流可达 25A，支持大电流负载。
3. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 约为 2.4Ω，在高电流条件下可显著降低传导损耗。
4. 快速开关能力，具备较小的栅极电荷 (Qg)，有助于减少开关损耗。
5. 高可靠性设计，能够在极端温度范围内正常运行 (-55°C 至 +175°C)。
6. 良好的热性能，确保在高功率密度环境下的稳定工作。
7. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
8. 内置雪崩能量保护功能，提高器件的鲁棒性。
IGW25N120H3 广泛应用于以下领域：
1. 工业设备中的开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 太阳能逆变器和风力发电系统。
3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电机驱动和车载充电器。
4. 不间断电源 (UPS) 系统。
5. 高压大功率 LED 驱动电路。
6. 工业自动化控制中的继电器替代方案。
7. 各种需要高压、高效开关操作的电力电子设备。
IGW20N120H3
IRGB40B12DPBF
FGL25N120AND
STW12NK120M2
