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IGW25N120H3 发布时间 时间:2025/7/2 10:21:39 查看 阅读:6

IGW25N120H3 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沒道型功率 MOSFET。该器件采用 TO-247 封装形式,适用于高电压和大电流应用场合。其额定漏源极电压为 1200V,连续漏极电流为 25A,主要应用于工业和汽车领域中的开关电源、电机驱动以及逆变器等场景。
  这款功率 MOSFET 具有较低的导通电阻、快速的开关速度以及良好的热性能,能够有效提升系统的效率并降低损耗。

参数

型号:IGW25N120H3
  封装:TO-247
  额定电压(Vds):1200V
  额定电流(Id):25A
  导通电阻(Rds(on)):2.4Ω
  栅极电荷(Qg):85nC
  最大工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  功耗:600W

特性

IGW25N120H3 的主要特性包括:
  1. 额定电压高达 1200V,适合高压应用场景。
  2. 连续漏极电流可达 25A,支持大电流负载。
  3. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 约为 2.4Ω,在高电流条件下可显著降低传导损耗。
  4. 快速开关能力,具备较小的栅极电荷 (Qg),有助于减少开关损耗。
  5. 高可靠性设计,能够在极端温度范围内正常运行 (-55°C 至 +175°C)。
  6. 良好的热性能,确保在高功率密度环境下的稳定工作。
  7. 符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。
  8. 内置雪崩能量保护功能,提高器件的鲁棒性。

应用

IGW25N120H3 广泛应用于以下领域:
  1. 工业设备中的开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 太阳能逆变器和风力发电系统。
  3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电机驱动和车载充电器。
  4. 不间断电源 (UPS) 系统。
  5. 高压大功率 LED 驱动电路。
  6. 工业自动化控制中的继电器替代方案。
  7. 各种需要高压、高效开关操作的电力电子设备。

替代型号

IGW20N120H3
  IRGB40B12DPBF
  FGL25N120AND
  STW12NK120M2

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IGW25N120H3参数

  • 数据列表IGW25N120H3
  • 标准包装240
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列TrenchStop™
  • IGBT 类型沟道和场截止
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.4V @ 15V,25A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)50A
  • 功率 - 最大326W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PG-TO247-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000674424